Forschern ist es erstmals gelungen, den physikalisch schnellstmöglichen Schaltprozess einer magnetischen Speicherzelle zu realisieren. Mithilfe dieses so genannten ballistischen Schaltprozesses könnten nichtflüchtige Magnetspeicher genauso schnell arbeiten wie die schnellsten flüchtigen Speicherbauteile, berichten die Forscher in der Fachzeitschrift „Physical Review Letters“.
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Die heute üblichen schnellen Computerspeicherchips wie DRAM und SRAM haben einen entscheidenden Nachteil: Bei Unterbrechung der Stromversorgung gehen die darauf gespeicherten Informationen unwiderruflich verloren. Abhilfe könnte das MRAM schaffen – das Magnetic Random Access Memory. In einem MRAM wird die digitale Information nicht in Form elektrischer Ladung gespeichert, sondern über die Richtung der Magnetisierung in magnetischen Speicherzellen.
Weltweite Forschung
Die neueste Generation der MRAM basiert auf dem so genannten Spin-Torque-Effekt. Er erlaubt die Richtung der Magnetisierung der Speicherzelle – und damit die Information „1“ oder „0“ – durch einen positiven oder negativen Strompuls durch die Zelle einzustellen und so den Speicher zu programmieren. Da Spin-Torque-MRAM auch eine sehr hohe Speicherdichte versprechen, arbeiten Wissenschaftler weltweit intensiv an ihrer Entwicklung.
Ein Strompuls durch eine Spin-Torque-Speicherzelle bewirkt eine Kreiselbewegung der Magnetisierung, die so genannte Präzession. Zum zuverlässigen Umschalten der Magnetisierung – und damit zum Programmieren des magnetischen Bit – mussten bislang stets mehrere dieser Präzessionsumdrehungen durchlaufen werden. Entsprechend dauert die Programmierung eines magnetischen Bit in einem heutigen MRAM-Prototyp etwa zehn Nanosekunden (ns).
Eine Präzessionsumdrehung reicht
In ihrem Experiment haben die Wissenschaftler der Physikalisch-Technischen Bundesanstalt (PTB) nun gezeigt, dass die Magnetisierung der Speicherzelle schon durch eine einzige Präzessionsumdrehung zuverlässig umgekehrt werden kann. Damit konnte der physikalisch schnellstmögliche Spin-Torque-Schaltvorgang realisiert werden. Im Experiment wurde dieses ballistische Schalten der Magnetisierung durch geschickte Wahl der Parameter des Strompulses in Kombination mit einem leichten statischen Magnetfeld erreicht.
Durch ballistisches Schalten könnten nach Ansicht der Forscher zukünftige Spin-Torque-MRAM mit Strompulsen von deutlich unter einer Nanosekunde programmiert werden. Damit hätte man einen nichtflüchtigen Speicherchip mit hoher Speicherdichte zur Verfügung, der in der Taktrate mit den schnellsten flüchtigen Speicherbauteilen, den SRAM, konkurrieren könnte.
(idw – Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB), 19.08.2008 – DLO)
