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Dienstag, 25.07.2017
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Erster Transistor aus Papier

Leistung mit dem aktueller Dünnschicht-Transistoren vergleichbar

Silizium basierte Schaltkreise haben jetzt eine ungewöhnliche Konkurrenz bekommen. Denn portugiesische Forscher produzierten den ersten Feldeffekt-Transistor auf Papierbasis. Ein normales Blatt Papier nimmt bei ihm die Stelle des kristallinen Siliziumsubstrates ein.
Transistorbauteile auf Papiersubstrat

Transistorbauteile auf Papiersubstrat

Der Trend geht heute auch in der Technik und Elektronik zu Biopolymeren: langkettigen organischen Molekülen, die maßgeschneidert und kostengünstig die gewünschten Funktionen übernehmen könnten. Was liegt da näher, als sich die Möglichkeiten der Zellulose, dem Grundstoff des Papiers einmal näher anzuschauen. Genau dies haben Wissenschaftler einer Arbeitsgruppe um Elvira Fortunato und Rodrigo Martins vom Centro de Investigação de Materiais (Cenimat/I3) der Neuen Universität Lissabon getan.

Sie entwickelten einen Feldeffekt-Transistor, bei dem ein normales Blatt Papier als dielektische Schicht dient. Sie nimmt dabei gleich zwei Funktionen auf einmal wahr: Zum einen wirkt sie als elektrischer Insulator, zum anderen als Substrat des Transistors. „Es ist eine Zwei-in-Eins-Anwendung“, erklärt Fortunato.

Die ersten Tests belegen, dass die neue Konstruktion in ihrer Leistung die der Transistoren auf Basis amorphen Siliziums übertrifft und mit den aktuellen Oxid-Dünnschicht-Transistoren gleichzieht. Wegen ihrer hohen Flexibilität und vor allem der günstigen Herstellung könnten solche Papiertransistoren zukünftig beispielsweise in „intelligenten“ Etiketten, Wegwerfelektronik oder Papierdisplays eingesetzt werden.
(Universidade Nova de Lisboa, 22.07.2008 - NPO)
 
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